有機金属気相成長法による選択成長技術の集積光デバイスへの応用

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タイトル別名
  • Photonic integrated devices fabricated by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy

抄録

光エレクトロニクスの発展は性能が高く生産性に優れた光デバイスの進展に大きく依存する.機能の異なる光デバイスをワンチップ化した集積光デバイスはこのキーテクノロジーとして期待が大きい.本小論では高性能,多機能な半導体集積光デバイスの一実現法として,有機金属気相成長での選択成長を用いた新しい光デバイスの集積化技術とこの応用集積光デバイスについて解説する.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 64 (7), 660-666, 1995

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001204596358784
  • NII論文ID
    130003593432
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.64.660
  • COI
    1:CAS:528:DyaK2MXntlGhs78%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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