半導体レーザー用四元混晶の有機金属気相成長法

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タイトル別名
  • Organometallic Vapor Phase Epitaxy of Quaternary Alloy Semiconductor for Diode Lasers
  • 半導体レーザー用4元混晶の有機金属気相成長法
  • ハンドウタイ レーザーヨウ 4ゲン コンショウ ノ ユウキ キンゾク キソウ

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抄録

Inを含む四元混晶の有機金属気相成長法 (OMVPE) は,当初の困難を克服し,現在,いくつかの研究機関でレーザー発振に成功し,さらに埋め込み成長や分布帰還型レーザー作製などのデバイス技術が開発され,有用なデバイス作製技術として,また,極薄層ヘテロ構造デバイスの作製手段として注目されるようになってきた,通信用半導体レーザーの材料であるInGaA8P/lnPに焦点を絞って, OMVPE技術の状況と展望を述べる.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 56 (3), 357-360, 1987

    公益社団法人 応用物理学会

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