モンテカルロ法によるMBE成長シミュレーション

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タイトル別名
  • Monte Carlo simulation study for MBE growth

抄録

計算機を用いて,原子の動きをシミュレートしようという試みが,盛んになりつつある.この試みに適したモンテカルロ法によれば, MBE成長過程を原子レベルから調べることが可能である.その概要を解説するとともに,具体例として, GaAs (001) 面上でのカチオン (Al, Ga) 吸着原子のマイグレーションを取り上げる. Ga吸着原子のマイグレーションと表面再構成,表面被覆率,ステップ構造との関係,さらにAl0.5Ga0.5Asにおける原子配列と成長温度,成長速度などの成長条件との関係について,シミュレ-ション結果を紹介する.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 63 (2), 132-140, 1994

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001204596525184
  • NII論文ID
    130003593275
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.63.132
  • COI
    1:CAS:528:DyaK2cXjtlGhsL0%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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