モンテカルロ法によるMBE成長シミュレーション
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- 伊藤 智徳
- NTT LSI研究所
書誌事項
- タイトル別名
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- Monte Carlo simulation study for MBE growth
抄録
計算機を用いて,原子の動きをシミュレートしようという試みが,盛んになりつつある.この試みに適したモンテカルロ法によれば, MBE成長過程を原子レベルから調べることが可能である.その概要を解説するとともに,具体例として, GaAs (001) 面上でのカチオン (Al, Ga) 吸着原子のマイグレーションを取り上げる. Ga吸着原子のマイグレーションと表面再構成,表面被覆率,ステップ構造との関係,さらにAl0.5Ga0.5Asにおける原子配列と成長温度,成長速度などの成長条件との関係について,シミュレ-ション結果を紹介する.
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 63 (2), 132-140, 1994
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204596525184
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- NII論文ID
- 130003593275
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- COI
- 1:CAS:528:DyaK2cXjtlGhsL0%3D
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可