Metalorganic vapor phase epitaxy using organic group-V sources
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- KIKKAWA Toshihide
- Fujitsu Laboratories Ltd.
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- KOMENO Junji
- Fujitsu Laboratories Ltd.
Bibliographic Information
- Other Title
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- 有機V族原料を用いた有機金属気相成長
Abstract
実用炉への応用を目的とする有機V族原料を用いた有機金属気相成長法(MOVPE法)について述べる.有機V族原料の直接供給法を用いることにより,多数枚同時成長が可能な減圧バレル型炉への,多量の有機V族原料の安定供給が可能であることを示した.この方法を用いて成長させたInGaP/GaAs系ヘテロ結晶は,高品質かつ高均一な結晶特性を示した.さらに,InGaP/lnGaAs系低雑音高電子移動度トランジスター (low noise HEMT) を試作した結果,優れた素子特性が得られた.これらの結果を踏まえ,有機V族原料を用いたMOVPE技術の今後を展望する.
Journal
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- Oyo Buturi
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Oyo Buturi 62 (8), 806-809, 1993
The Japan Society of Applied Physics
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204596742784
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- NII Article ID
- 130003593203
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- COI
- 1:CAS:528:DyaK2cXkt1Sqtw%3D%3D
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed