Application of isotopically engineered silicon single crystals

DOI
  • ITOH Kohei M.
    Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University PRESTO-JST
  • TAKYU Ken-ichiro
    Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University

Bibliographic Information

Other Title
  • シリコン同位体単結晶の応用

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Description

通常のSi結晶中には28Si,29Si,30Siの3種類の質量および核スピン数が異なる安定同位体が存在し,それぞれの組成比は92.2%(28Si),4.7%(29Si),3.1%(30Si)と常に一定である.この組成を変化させたSi結晶を作製することで,さまざまな物性の改質・制御が実現する.最近では同位体組成や分布を原子レベルで制御する結晶成長法も確立され,今後の半導体素子の発展に「半導体同位体工学」が大きく寄与することが期待される.<br>本稿では,半導体同位体工学に基づく高熱伝導Siウエハーの実現を紹介した後,将来のSi同位体工学の役割を議論する.

Journal

  • Oyo Buturi

    Oyo Buturi 70 (10), 1187-1190, 2001

    The Japan Society of Applied Physics

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001204596996992
  • NII Article ID
    130003594307
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.70.1187
  • COI
    1:CAS:528:DC%2BD3MXosVKktL4%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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