Introduction to heterojunctions

DOI
  • TAKAHASHI Kiyoshi
    Department of Electronics & Information Science, Teikyo University of Science & Technology

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Other Title
  • ヘテロ接合入門

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ヘテ自接合は,半導体工ピタキシー技術の開発以後急速に発展し,ヘテ爲接合のエネルギーの不連続性を利用したいろいろな新しいデバイスが開発されている.本稿では,半導体ヘテロ接合とは何か,格子整合・不整合の場合のヘテロ接含のエネルギー帯構造の考え方,ヘテロ接合の特徴,その特徴を生かしたヘテこ1接合デバイス,舎後の展望などについて解説する.

Journal

  • Oyo Buturi

    Oyo Buturi 67 (7), 831-834, 1998

    The Japan Society of Applied Physics

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001204597636096
  • NII Article ID
    130003593859
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.67.831
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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