Atomic and electronic structures of tetrahedrally bonded semiconductors

DOI
  • UDA Tsuyoshi
    Joint Research Center for Atom Technology Angstrom Technology Partnership

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Other Title
  • 半導体バルクの構造と電子状態

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IV族, III-V族, II-VI族化盒物の多くは四面体構造をとる半導体である.イオン性が増加するにつれ,エネルギー・ギャップは増大し,また結晶構造はセン蘂鉛鉱(ダイヤモンド)構造からウルツ鉱構造へと変化する.この傾向は構成原子の結合軌道の性質によって説明される.同様の考察は,人工格子のような新しい材料のエネルギー構造を予測するうえでも有用である.

Journal

  • Oyo Buturi

    Oyo Buturi 68 (7), 817-820, 1999

    The Japan Society of Applied Physics

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001204597697280
  • NII Article ID
    130003594030
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.68.817
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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