書誌事項
- タイトル別名
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- Application of Directed Self-Assembly Lithography to Semiconductor Device Manufacturing Process
- ハンドウタイ プロセス エ ノ ジコ ソシキカ リソグラフィ オウヨウ
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抄録
Directed self-assembly (DSA) lithography are recently getting in the spotlight as one of the most promising new generation lithography (NGL) candidates, which have a potential to fabricate semiconductor device patterns down to sub-30nm. In this report, latest experimental and simulation results of contact hole shrink process using the DSA are demonstrated.
収録刊行物
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- 電気学会論文誌. A
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電気学会論文誌. A 133 (10), 532-536, 2013
一般社団法人 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204600267392
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- NII論文ID
- 10031200960
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- NII書誌ID
- AN10136312
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- ISSN
- 13475533
- 03854205
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- NDL書誌ID
- 024946512
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可