アルミニウムシリケート（ＡｌＳｉｏ）絶縁薄膜の特性評価

DOI Web Site Web Site 参考文献15件 オープンアクセス
  • 小松 直佳
    大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
  • 杉野 隆
    大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
  • 木村 千春
    大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
  • 青木 秀充
    大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
  • 栗本 裕史
    大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
  • 近松 健太郎
    大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Characterization of Aluminum Silicate (AlSiO) Insulator Films
  • アルミニウム シリケート AlSiO ゼツエン ハクマク ノ トクセイ ヒョウカ

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説明

An attractive gate insulator film with a wide bandgap and a high dielectric constant is required to achieve high performance power field-effect transistor (FET) using wide bandgap semiconductors such as SiC and diamond. An Al2O3 film is one of the candidates for this purpose. The AlO film was produced by means of RF sputtering on Si and SiC substrates, and I-V and C-V characteristics of the AlO film were measured. However, the AlO film was not stoichiometric and it has large gate leakage current and large charge shifts. So we added Si in AlO (AlSiO).<br>We have succeeded in suppressing the gate leakage current and the charge shifts by using the AlSiO film. The optimized AlSiO film was applied to SiC-MIS structure. It was also observed that the leakage current level was suppressed.

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参考文献 (15)*注記

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