GaN on GaN Crystals for Power Device Applications
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- FUJIKURA Hajime
- (株)サイオクス
Bibliographic Information
- Other Title
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- パワーデバイス用GaN on GaN結晶
- パワーデバイスヨウ GaN on GaN ケッショウ
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Abstract
<p>1.はじめに</p><p>GaN系半導体は,当初からその高い絶縁破壊電界と移動度からパワーデバイスとして,従来のSiやワイドギャップ半導体のSiCを超えるポテンシャルを認識されていたが,発光デバイス市場という広大なフロンティアが存在したため,初期の開発のほとんどは発光デバイスの実現,実</p>
Journal
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- The Journal of The Institute of Electrical Engineers of Japan
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The Journal of The Institute of Electrical Engineers of Japan 137 (10), 685-688, 2017
The Institute of Electrical Engineers of Japan
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204996278400
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- NII Article ID
- 130006109852
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- NII Book ID
- AN10432927
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- ISSN
- 18814190
- 13405551
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- NDL BIB ID
- 028615589
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed