Effects of Gas Adsorption upon Electrical Conductivity of Oxide Semiconductors
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- TAKATA Masasuke
- Department of Industrial Chemistry, Faculty of Engineering, University of Tokyo
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- YANAGIDA Hiroaki
- Department of Industrial Chemistry, Faculty of Engineering, University of Tokyo
Bibliographic Information
- Other Title
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- 酸化物半導体の導電率に及ぼすガス吸着効果
- サンカブツ ハンドウタイ ノ ドウデンリツ ニ オヨボス ガス キュウチャク
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Abstract
酸化物半導体の導電率に及ぼすガス吸着の効果を調べた.<br>電子移行過程を伴う化学吸着は半導体の導電率の変化をもたらす. 酸素の化学吸着はよく理解されている. 化学吸着酸素種は温度上昇に伴い次のように移っていく. 1/2O4-→O2-→2O-→2O2-. ほとんどのn型酸化物半導体の導電率は, 空気中で測定すると熱履歴を示す. この現象は化学吸着酸素の挙動で説明できる.<br>SnO2, ZnO, Fe2O3などの酸化物半導体がガスセンサー用素材としてよく用いられる. 被検ガスの化学吸着による半導体の導電率の変化を説明するために, 表面又は界面の効果を考慮に入れた多くのメカニズムがこれまでに提案されている.
Journal
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- Journal of the Ceramic Association, Japan
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Journal of the Ceramic Association, Japan 87 (1001), 19-27, 1979
The Ceramic Society of Japan
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205216991872
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- NII Article ID
- 110002316129
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- NII Book ID
- AN00245650
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- ISSN
- 18842127
- 00090255
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- NDL BIB ID
- 2040543
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed