Hydrothermal Growth of Lithium and Copper-doped ZnO Single Crystals

DOI Web Site Web Site
  • SAKAGAMI Noboru
    Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
  • HASEGAWA Shuzo
    Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
  • OHARA Gisaku
    Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University

Bibliographic Information

Other Title
  • リチウム及び銅をドープしたZnO単結晶の水熱育成
  • リチウム オヨビ ドウ オ ドープ シタ ZnOタンケッショウ ノ スイネツ イクセイ エイブン ソクホウ

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ZnO単結晶は, 超音波増幅素子としての応用が考えられており, その水熱育成でLiをドープしたZnOとCuをドープした未発表のZnO単結晶との晶癖において顕著な相違を認めた. LiドープZnO: c軸方向の成長率が抑えられ, -c (0001) 及びp (1011) 面の発達が著しいいわゆるピラミッド型となる (Fig. 1). CuドープZnO: 逆にc軸方向の成長率が促進され, m (1010) 面の発達が顕著で柱状となる (Fig. 2). 電気抵抗率はLiドープZnOとCuドープZnOとはほとんど等しく, 103-105Ω-cmの値をとる. この値は超音波増幅素子として利用出来得る値である. CuドープZnOの中のCuの定量はまだ行なっていないが, 抵抗率の値からLiドープZnOで検討されたLi+アクセプターと同様にCu+アクセプターの作用でこの抵抗率の補償が行なわれているものと考える. この補償と同時にc方向の成長率がLiドープZnOより増大させ得ることは, 超音波増幅の縦波用素子として有用であり, 結晶の晶癖と電気抵抗率のコントロールが行なえ得ることは興味あることである.

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