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- 重川 直輝
- 大阪市立大学工学研究科電子・物理工学科
書誌事項
- タイトル別名
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- Bonding of Dissimilar Semiconductor Materials for Energy-Harvesting and Energy-Saving Devices
- ソウエネ ・ ショウ エネデバイス オ メザス イシュ ハンドウタイ ザイリョウ ノ ハリアワセ
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説明
Research activities on surface activated bonding (SAB) of dissimilar semiconductor materials for targeting advanced energy-harvesting and energy-saving devices are reviewed. The structural and electrical properties of interfaces fabricated using the SAB technologies are examined. The change in the interface characteristics due to annealing after bonding is highlighted. The characteristics of SAB-based hybrid multi-junction solar cells, SiC/Si junctions as prototypes of wide bandgap/narrow bandgap hetero structures, and single-crystal diamond/Si junctions for integrating diamond and Si devices in the future are discussed.<br>
収録刊行物
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- Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ
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Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ 60 (11), 421-427, 2017
一般社団法人 日本真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205294357504
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- NII論文ID
- 130006252384
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- NII書誌ID
- AA12298652
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- ISSN
- 18824749
- 18822398
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- NDL書誌ID
- 028699045
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- Crossref
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可