半導体表面における光励起キャリアダイナミクスの時間・空間分解計測

DOI Web Site Web Site 参考文献28件 オープンアクセス
  • 福本 恵紀
    高エネルギー加速器研究機構　物質構造科学研究所

書誌事項

タイトル別名
  • Spatio-temporal Observation of Photogenerated Carrier Dynamics on a Semiconductor Surface
  • ハンドウタイ ヒョウメン ニ オケル ヒカリレイキキャリアダイナミクス ノ ジカン ・ クウカン ブンカイ ケイソク

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説明

　A system for time-resolved photoemission electron microscopy (TR-PEEM) conducted with femtosecond laser pulses has been developed to explore the photogenerated electron dynamics on semiconductor surfaces. Attained space and time resolutions were 100 nm and 100 fs, respectively. The present manuscript introduces the TR-PEEM system, and also reports the observation of different photogenerated electron lifetimes in different nanoscale structural defects randomly distributed on a semiconductor surface. The results were explained based on Schockley-Read-Hall (SRH) model relating the carrier recombination time and the defect state density. The defect state density in each defect was successfully estimated.<br>

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