書誌事項
- タイトル別名
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- Crystal Growth of Semiconductors Mediated by Surfactant.
- ヒョウメン カッセイザイ オ モチイタ ハンドウタイ ケッショウ セイチョウ
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説明
結晶成長は自然界には存在しない新物質の創生を可能にするという点で魅力的であり, 非常に古くから研究が行われてきた. その結果, 結晶成長の機構について今日までに様々なことが明らかになってきた. 最近の結晶成長の研究の話題の一つにサーファクタント媒介エピタキシーと呼ばれる手法がある. この方法は, 得られる薄膜の構造を制御するために, 表面活性剤(サーファクタント)を用いて結晶成長を行う方法である. 本稿では, サーファクタントを用いた研究が最も多く行われている系であるSi表面上のSiやGeの結晶成長について, 明らかになってきた点やその問題について紹介する.
収録刊行物
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- 日本物理学会誌
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日本物理学会誌 53 (4), 244-250, 1998
一般社団法人 日本物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205405531264
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- NII論文ID
- 110002077265
- 130004180853
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- NII書誌ID
- AN00196952
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- ISSN
- 24238872
- 00290181
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- NDL書誌ID
- 4446195
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
