書誌事項
- タイトル別名
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- D<SUP>-</SUP> States and D<SUP>-</SUP> Band in Germanium and Silicon
- Ge Si ノ D ジョウタイ ト D バンド
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抄録
半導体中の不純物準位はしばしば水素原子模型で近似される. 負にイオン化した水素原子, H-, との類似より, 半導体の不純物ドナーにもう一つの電子がつかまるD-状態が果して存在するか, どうかは長い間の疑問であった. 最近のサブミリ波分光の発達により, D-状態の存在はすでに疑う余地のないものとなった. H-と違って, D-中心の電子は母体エネルギー帯の異方性, 多谷性, また大きな電子軌道半径を反映して, 一層興味深い振舞を示す.著者の研究室では3Hcによる0.35Kの低温での長波長分光と,一軸性応力,磁場等の手段により, D-状態の存在を一層現実化すると共に, 新しい現象を多く見出すことが出来たので紹介する. D-状態が集ったと考えられるD-バンド, またさらに不純物濃度の増加による非金属-金属転移は不純物伝導の中心課題で多くの研究がなされてきたが, ここでは著者らの光の手段による研究を述べる.
収録刊行物
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- 日本物理学会誌
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日本物理学会誌 34 (3), 221-233, 1979
一般社団法人 日本物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205406515712
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- NII論文ID
- 110002074341
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- NII書誌ID
- AN00196952
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- ISSN
- 24238872
- 00290181
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- NDL書誌ID
- 2046761
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可