CdTe障壁層中におけるPb<sub><font size="-1">1-<i>x</i></font></sub>Sn<sub><font size="-1"><i>x</i></font></sub>Teナノドットの自己組織化とフォトルミネッセンス特性

DOI Web Site 参考文献18件
  • 小池 一歩
    大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
  • 中田 裕紀
    大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
  • 岩本 敦
    大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
  • 矢野 満明
    大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Self-Organization and Photoluminescence Properties of Pb<sub><font size="-1">1-<i>x</i></font></sub>Sn<sub><font size="-1"><i>x</i></font></sub>Te Nanodots Embedded in a Wide Bandgap CdTe Matrix
  • CdTe障壁層中におけるPb₁₋xSn[x]Teナノドットの自己組織化とフォトルミネッセンス特性
  • CdTe ショウヘキソウ チュウ ニ オケル Pb ₁ ₋ xSn[x]Te ナノドット ノ ジコ ソシキカ ト フォトルミネッセンス トクセイ
  • Self-Organization and Photoluminescence Properties of Pb1-xSnxTe Nanodots Embedded in a Wide Bandgap CdTe Matrix

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抄録

This paper describes molecular beam epitaxial growth and photoluminescence properties of single-crystalline Pb0.7Sn0.3Te nanodots embedded in a wide bandgap CdTe host matrix. These nanodots were self-organized by postgrowth annealing of a lattice-type mismatched Pb0.7Sn0.3Te(rocksalt)/CdTe(zincblende) single quantum well. A highly efficient midinfrared emission in the 3∼5μm atmospheric window was observed from the nanodots even at higher temperatures than 300K. By considering both effects of strain-induced band deformation and quantum confinement in nanodot potentials, the emission energy observed was found to agree with the theoretical transition energy in the type I quantum well.

収録刊行物

  • 材料

    材料 61 (9), 771-776, 2012

    公益社団法人 日本材料学会

参考文献 (18)*注記

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