アゾベンゼン修飾界面活性剤を用いた無電解法による銅フタロシアニン薄膜生成の速度論的検討

DOI Web Site 被引用文献3件 参考文献25件
  • 伊藤 芳孝
    東京工業大学大学院理工学研究科物質科学専攻
  • 加賀 康正
    東京工業大学大学院理工学研究科物質科学専攻
  • 佐治 哲夫
    東京工業大学大学院理工学研究科物質科学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Kinetics of Electroless Formation of Copper Phthalocyanine Thin Films Using Surfactants with an Azobenzene Group
  • アゾベンゼン シュウショク カイメン カッセイザイ オ モチイタ ムデンカイホウ ニ ヨル ドウ フタロシアニン ハクマク セイセイ ノ ソクドロンテキ ケントウ

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抄録

酸化還元活性なアゾベンゼン修飾非イオン性界面活性剤 (AZPEG) と酸化還元不活性なポリオキシエチレンアルキルエーテル (Brij) の混合界面活1生剤, およびアルキル基の長さの違う種々のAZPEGを用いてβ型銅フタロシアニン (CuPc) の薄膜を作成し, 薄膜生成量 (A) と界面活性剤の親水性一疎水性バランス (HLB) 値および界面活性剤の濃度との関係から薄膜生成の速度論的検討を行った。<BR>AZPEGとBrijの混合界面活性剤を用いた場合, 薄膜は所定のAZPEGの物質量比以上で生成し, Brjiの吸着の平衡定数が小さいほど所定の物質量比は大きかった。また, AZPEGのみを用いた場合, Aが最大となるAZPEGの濃度は, AZPEGのHLB値が大きくなるに従い減少した。これらの現象は, 近傍のCuPc粒子表面から脱着した界面活性剤による薄膜生成の妨害で説明された。

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