結晶成長における表面過程の第一原理計算による考察

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タイトル別名
  • Theoretical analysis of the atomic process on the growth surface: <i>ab initio</i> study

抄録

結晶成長における原子レベルでの素過程を考察するための有効な手法として、成長表面の第一原理計算がある。本発表においては、このような計算手法を紹介するとともに、実際の応用例を報告する。結晶成長時に現れる表面は、バルク結晶をある平面で単純に切断した構造になるとは限らず、原子が移動して再配列した構造が安定になることが多い。そのため、本研究ではまずある成長条件下で安定な表面構造を解析したのち、出現可能な表面に存在するサイトに原子を置換してそのエネルギーを計算することで、結晶への原子・分子の取り込み過程を考察した。さらに、結晶中における種々の欠陥の安定性を考慮すれば、不純物元素の取り込み/凝縮過程を示すことができる可能性がある。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205544828160
  • NII論文ID
    130005468478
  • DOI
    10.14824/jakoka.2012.0_98
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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