Effect of Excimer UV Irradiation on Preparation of (Bi,Nd)<sub>4</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub> Thin Films by Chemical Solution Deposition

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  • 化学溶液法による(Bi,Nd)<sub>4</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>薄膜作製に及ぼすエキシマUV照射効果

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強誘電体不揮発性メモリに応用が期待される(Bi,Nd)4Ti3O12(BNT)薄膜の研究が盛んに行われている。本研究では、BNT薄膜を化学溶液法によりPt/TiOx/SiO2/Si基板上に作製し、さらにBNT薄膜にエキシマUVランプを照射することで、550℃以下の低温で結晶化し、良質な表面の薄膜を得ることが可能となった。また、その薄膜は良好な強誘電性を示し、その残留分極値(Pr)と抗電界(Ec)はそれぞれ、16.1 µC/cm2 と102 kV/cmだった。

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  • CRID
    1390001205611584768
  • NII Article ID
    130006967358
  • DOI
    10.14853/pcersj.2004s.0.27.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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