Effect of AlN addition on the structural ordering and the consolidation of stacking disordered SiC.

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  • 積層無秩序構造を有する SiC の構造秩序化および緻密化に与える AlN 添加の影響

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メカニカルアロイ法を用いて合成した積層無秩序構造を有するナノSiCを緻密化することで、焼結助剤を添加せずとも緻密焼結の作製に保持温度1900℃の条件で成功している。そこで今回は、SiCと固溶体を形成するAlNを少量添加することで焼結温度の低温化を試みた。その結果、熱力学的に不安定な積層無秩序構造から安定な3C-SiCへの構造秩序化および緻密化にAlN添加が大きな影響を与えることが明らかになった。また、AlNを微量添加することで緻密化が比較的低温で進行し、保持温度1700℃の条件でナノ構造を有するSiC焼結体の作製に成功した。

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  • CRID
    1390001205615570176
  • NII Article ID
    130006972459
  • DOI
    10.14853/pcersj.2006f.0.235.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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