酸化亜鉛超薄膜の成長

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タイトル別名
  • Crystal growth of zinc oxide ultra-thin film

抄録

酸化亜鉛は、ワイドギャップ半導体として、また大きなエキシトン束縛エネルギーを持つことから、発光素子、電子素子として期待されている。そのために多くの薄膜作製研究が行われており、薄膜の結晶性も大いに向上してきている。しかし、良好なｐ型伝導や量子効果を実現するまでには至っていない。そこで、酸化亜鉛薄膜の更なる結晶性の向上を目的として、酸化亜鉛薄膜の初期成長機構を明らかにするために、酸化亜鉛超薄膜の成長について検討した。基板として、サファイアａ_-_面、ｃ_-_面及びホウ化ジルコニウムを用い、ＭＢＥ法により金属亜鉛超薄膜を逐次酸化することにより酸化亜鉛超薄膜を成長させた。薄膜は電子線回折及びＡＦＭにより評価した。ホウ化ジルコニウムを基板に用いることにより、良好なエピタキシャル酸化亜鉛薄膜を室温で作製することに成功した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205616555008
  • NII論文ID
    130006974067
  • DOI
    10.14853/pcersj.2005s.0.371.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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