Natural MQW structure in LnCuOCh layered oxychalcogenides

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  • LnCuOCh層状オキシカルコゲナイド中の自然多重量子井戸構造

Abstract

LnCuOCh(Ln=希土類元素、Ch=カルコゲン元素)は、酸化物層とカルコゲナイド層が積層する構造をもつワイドギャップ半導体である。これらの材料の電子構造を調べると、その層状構造が酸化物層を障壁、カルコゲナイド層を井戸とした多重量子井戸構造とみなせる可能性が示唆される。エピタキシャル薄膜を用いた吸収スペクトルの測定により、2次元性を示すスペクル構造を一連のLnCuOChにおいて観察した。これにより、LnCuOCh中には、多重量子井戸構造が形成されていることが実証された。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205616602112
  • NII Article ID
    130006974141
  • DOI
    10.14853/pcersj.2004s.0.59.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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