Energy band calculation of wide-gap LaCuOSe semiconductor

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  • ワイドギャップ半導体LaCuOSeの電子構造計算

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ワイドギャップ半導体LaCuOSeの電子構造をLDA+U近似のもとでFLAPW法によって計算する。La4f軌道のエネルギー位置を正確に評価するために、LDA近似ではなくLDA+U近似で計算を行い、得られた結果を光電子分光スペクトルと比較する。

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  • CRID
    1390001205616607232
  • NII Article ID
    130006974149
  • DOI
    10.14853/pcersj.2004s.0.58.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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