ホウ化物及び炭化物基板上での酸化亜鉛薄膜の成長

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タイトル別名
  • Growth of ZnO films on boride and carbide substrates

抄録

酸化亜鉛は、ワイドギャップ半導体として、また大きなエキシトン束縛エネルギーを持つことから、発光素子、電子素子として期待されている。そのために多くの薄膜作製研究が行われているが、良好なｐ型伝導や量子効果を実現するまでには至っていない。そこで、酸化亜鉛薄膜の更なる結晶性の向上を目的として、サファイアに比べ格子ミスマッチが小さく、かつ金属導電性を持つホウ化物及び炭化物結晶を基板材料とした酸化亜鉛薄膜の形成について検討した。基板として、ホウ化ジルコニウム、ホウ化ニオブ、炭化ジルコニウム、炭化ニオブを用い、ＭＢＥ法により金属亜鉛薄膜を酸化することにより酸化亜鉛超薄膜を成長させた。薄膜は電子線回折及びＡＦＭにより評価した。

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  • CRID
    1390001205616652288
  • NII論文ID
    130006974221
  • DOI
    10.14853/pcersj.2006s.0.424.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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