The devise size dependence of resistance switching performance in metal / manganite insulator interface

DOI
  • Ohkubo Isao
    Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
  • Sugano Genya
    Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
  • Harada Takayuki
    Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
  • Oshima Masaharu
    Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
  • Ohnishi Tsuyoshi
    National Institure for Materials Science
  • Lippmaa Mikk
    Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo
  • Matsumoto Yuji
    Materials and Structures Laboratory
  • Koinuma Hideomi
    Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo

Bibliographic Information

Other Title
  • 抵抗スイッチングを示す金属-酸化物界面の伝導機構と素子サイズ依存

Abstract

金属-絶縁体-金属構造に電圧を印加して発生する抵抗スイッチング現象は、次世代不揮発性メモリーへの応用が期待されている。我々はこれまでに、Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO)薄膜上にさまざまな金属電極を作製し、Al/PCMO界面付近で抵抗スイッチングが発現していることを明らかにした。この抵抗スイッチング現象のメカニズムの解明を最終目的として、Al/PCMO界面における電流-電圧特性の詳細な解析を行った。空間電荷制限電流とプールフレンケル伝導が抵抗スイッチングに関与していることが明らかになり、界面付近の欠陥等における電荷のトラップ-デトラップにより抵抗スイッチングが発現していることが示唆された。当日は、伝導機構の素子サイズ依存等を紹介し、詳細を議論する。

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205617417856
  • NII Article ID
    130006975344
  • DOI
    10.14853/pcersj.2009f.0.2l19.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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