Fabrication and electrical properties of Al-doped ZnO by polymerized complex method

Bibliographic Information

Other Title
  • 錯体重合法によるAl固溶ZnOセラミックスの作製と電気特性

Description

Zn1-XAlXO粉体を錯体重合法により合成し、放電プラズマ焼結(SPS)法により焼結体を作製した。仮焼粉体のHall プロットによりAlを添加すると格子歪みが増加し、結晶子径が減少することが分かった。XRDによりX≧0.02でZnAl2O4の存在が確認された。錯体重合法により作製した試料では導電率はX=0.02まで増加し、市販のZnOとAl2O3により作製した試料よりも高い導電率を示した。また、錯体重合法により作製した試料ではSeebeck係数の絶対値はAlを添加すると減少した。

Journal

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205619797760
  • NII Article ID
    130006979118
  • DOI
    10.14853/pcersj.2008f.0.556.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

Report a problem

Back to top