鏡面化ダイシング技術によるGaN半導体レーザ共振器端面の形成

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タイトル別名
  • Formation of End Facets of GaN Semiconductor Laser Resonator with Mirror Finishing Technic of Dicing

抄録

青色に発光するGaN半導体レーザ共振器端面の鏡面切断加工を目的として，高速に回転するブレード工具と，それに加速されたスラリー中の微粒子の加工作用を複合させた新しい技術を研究している．切断面の粗さは最良時でRa0.2nmと良好であるが，切断面垂直性に課題を持つ．この垂直性の改善法についての検討も行った．また，切断サンプルの発振特性も確認した．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205647789568
  • NII論文ID
    130007001946
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2002a.0.165.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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