エバネッセント光を応用した酸化膜CMPにおける研磨界面での現象解析

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タイトル別名
  • Study on phenomenon on polishing surface in Oxide-CMP applying Evanescent field

抄録

ILD/STI-CMPにおける材料除去モデルとして、研磨微粒子の凝着・その後の転動によって化学反応膜分子を除去するモデルを支持している。エバネッセント光を応用して研磨時の材料除去現象を観察することで、材料除去時の研磨微粒子の機能を明らかにすることを目的とする。実験より、研磨条件変更時の研磨面での微粒子の挙動を捉え、研磨条件と研磨微粒子移動速度の関係を確認した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205654048384
  • NII論文ID
    130005031446
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2012s.0.799.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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