SiC laser slicing based on novel process principle

DOI

Bibliographic Information

Other Title
  • 新しい加工原理によるSiCのレーザースライシング2
  • 加工性評価
  • Process evaluation

Description

レーザスライシング技術（KABRA）によるウェーハ加工について報告する。加工時間は4”インゴットの場合ウェーハ1枚当たり8分、ウェーハ取枚数は材料ロスが少ないため現状のワイヤー加工の1.5倍を実現している。KABRAによって切り出された4”ウェーハのTTVは3.2mm、Warpは3.8umであった。この結果、従来必要不可欠であったラップ研削工程を省略でき、ウェーハメイキング工程のリードタイムを大幅に短縮することが可能となる。

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205655694848
  • NII Article ID
    130005244364
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2016a.0_637
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

Report a problem

Back to top