プラズマ援用研磨法の開発(第17報)

DOI
  • 辻内 健太郎
    大阪大 工学研究科附属超精密科学研究センター
  • 孫 栄硯
    大阪大 工学研究科附属超精密科学研究センター
  • 大久保 雄司
    大阪大 工学研究科附属超精密科学研究センター
  • 遠藤 勝義
    大阪大 工学研究科附属超精密科学研究センター
  • 山村 和也
    大阪大 工学研究科附属超精密科学研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • 減圧型プラズマ援用研磨による4H-SiCの軟質砥粒研磨特性の評価

抄録

我々は,パワーデバイス用半導体材料であるSiCやGaNに対して,プラズマ照射による表面改質と軟質砥粒による改質層の除去により,高能率かつダメージフリーで研磨を進行させるプラズマ援用研磨法を提案している.現在,プラズマの安定化かつ大面積化を目的とし,減圧雰囲気下におけるプラズマ援用研磨法を検討している.本報では,試作した減圧型プラズマ援用研磨装置を用いて、4H-SiCにおける軟質砥粒研磨の電力依存性を調査した.

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205657357056
  • NII論文ID
    130006434459
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2017a.0_497
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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