銅と銀薄膜のギ酸ガスによる表面活性化接合
書誌事項
- タイトル別名
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- Formic Acid Treatment for Low Temperature Bonding of Copper and Silver Substrates
説明
本研究は、配線やヒートシンクに用いる銅とSiチップ上に形成した銀薄膜を、パワーデバイスの放熱効率を上昇させるため、またダイボンディングの省スペース化のために中間層を伴わず直接接合することを目的とした。そこでギ酸ガスを用いた表面活性化接合法によって銅バルク材と銀薄膜を接合することを試みた。その結果、大気圧中でのギ酸ガスによる表面処理（30min）を施した後、1000Nで10min圧着させたところ、従来250℃以上の加熱が必要とされていた銅と銀の接合を200℃で実現することが出来た。
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2014S (0), 367-368, 2014
公益社団法人 精密工学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205658913792
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- NII論文ID
- 130005478902
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
