The development of the dry planarization method with a reference plane by the transportation of active species

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  • 表面吸着活性種の輸送を用いたドライ平坦化法の開発

Abstract

SiCやダイヤモンドなどはその優れた物性から次世代半導体基板材料として注目されているが，これらは高硬度かつ化学的に安定なため，原子レベルの表面平坦化は困難である．そこで我々はドライエッチングに転写面を付加した研磨法を考案した．本手法では，大気圧プラズマで生じた反応種を，触媒をめっきした回転定盤上に吸着し，試料表面に輸送することで平坦化を行う．本発表では，本手法の概念および基礎実験結果について報告する．

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  • CRID
    1390001205659701760
  • NII Article ID
    130006043915
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2017s.0_541
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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