両面研磨加工におけるウェーハ厚さむら抑制のための加工条件最適化
抄録
半導体デバイスの性能および生産性向上のため，基板材料であるシリコンウェーハの両面研磨加工では表面を高平坦に仕上げる，すなわち厚さむらを極めて小さくすることが強く求められている．そこで本研究では，ウェーハーキャリア間の摩擦およびウェーハー研磨パッド間の圧力分布に着目した両面研磨加工モデルを構築し，ウェーハの厚さむらを抑制できる加工条件を求め，実際に厚さむらを安定して抑制できることを明らかにした．
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2017A (0), 239-240, 2017
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205660071936
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- NII論文ID
- 130006434215
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可