Low pressure metalorganic vapor phase epitaxial growth and characterization of ZnSexTe1-x films.

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  • 減圧有機金属気相成長法によるZnSexTe1-xの作製と評価

Abstract

ZnSexTe1-x はSe組成によってバンドギャップを2.0eV～2.7eVまで変えることができる混晶半導体材料である。本研究では原料としてジメチル亜鉛, ジエチルセレン(DESe),ジエチルテルル(DETe)を用いて減圧有機金属気相成長法により(001)ZnTe基板上に390℃と低い基板温度でZnSexTe1-x膜を成長させた。DESeはDETeに比べて熱分解効率が低いので，高いSe組成を有するZnSexTe1-x 膜の成長にはDETe供給量に比べてDESeのそれを非常に大きくする必要があった。ZnSexTe1-x 膜の低温フォトルミネッセンススペクトルにはSe組成に応じて特徴のある発光ピ－クが見出され，発光ピ－クエネルギ－はSe組成に対しZnSexTe1-xのバンドギャップと同じように極小傾向を示した。

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  • CRID
    1390001205663730048
  • NII Article ID
    130006356424
  • DOI
    10.11527/jceeek.2015.0_451
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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