RFスパッタリング法によるGaAs(111)基板上へのGaN薄膜成長に関する研究

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タイトル別名
  • Research on Growth of GaN thin films on GaAs (111) substrates by RF sputtering method

抄録

ワイドギャップ半導体であるGaNは，発光ダイオード等の光デバイスに広く応用されている材料であり，また次世代パワーデバイス用材料として注目を集める材料である．従来からGaN成長用基板には，サファイアが用いられてきたが，応用上の優位性への期待等を背景に，その他種々の結晶材料を基板として用いた研究が行われている．我々は，高移動度の特徴を持つGaAsに着目し，GaAsターゲットを用いたスパッタリング法によるGaAs(111)基板上へのGaN薄膜成長研究を進めている．今回は，反応性スパッタリングガス（Ar+N2）の混合比を幅広く変化させてGaN薄膜成長を行い，得られた薄膜の結晶性等を評価した．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205664279424
  • NII論文ID
    130006356957
  • DOI
    10.11527/jceeek.2016.0_46
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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