Growth of ZnMgSeTe layers by MOVPE and control of their Se composition

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  • 有機金属気相成長法によるZnMgSeTe薄膜の成長とSe組成の制御

Abstract

有機金属気相成長法を用いて，(001)面のGaドープZnTe基板上に四元混晶半導体ZnMgSeTe薄膜を作製した．薄膜と基板の界面を観測すると，直線的となっており比較的良好なZnMgSeTe薄膜が得られていることを確認できた．さらにZnMgSeTeのSe組成制御が可能かどうか検証するために，DESe供給量を変化させた．XRDの結果から，DESe供給量が増加するとZnMgSeTeの(004)回折ピークは高角度へシフトする．DESe供給量3μmol/min付近で成長させると， ZnMgSeTeのピークがZnTeのピークに向かって最も接近した．以上より，ZnMgSeTeは適切なDESe供給量を制御することで，ZnTeと格子整合が可能であることが実証された．

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  • CRID
    1390001205664607744
  • NII Article ID
    130005487334
  • DOI
    10.11527/jceeek.2013.0_280
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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