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Synchrotron radiation photoemission study on oxides formed at Ge(100)2x1 by ambient oxidation

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  • Ge(100)2x1表面の大気酸化物の放射光光電子分光分析

Abstract

GeはSiより優れたキャリアー移動度を有するため、次世代LSIの代替えチャネル材料として注目されている.一般にその酸化物は大気中で不安定と考えられることから、大気中での酸化膜に関する研究が重要となっている.そこで、超高真空中で作成したGe(100)2x1清浄表面を大気に放置した後に形成される表面酸化物を放射光光電子分光によって調べた.超高真空中の酸素ガス導入により形成される酸化物と異なることが明らかにとなった.

Journal

Details

  • CRID
    1390001205677394816
  • NII Article ID
    130005489084
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_159
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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