Be,Si共添加したGaGdNのMBE成長とその評価
書誌事項
- タイトル別名
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- MBE growth and characterization of Be and Si co-doped GaGdN
抄録
ＧａＮに希土類元素ＧｄをドープしたＧａＧｄＮは室温強磁性を示すことを報告してきた。また、ＧａＧｄＮは可視光に対して透明なワイドギャップ半導体であり、光学デバイス応用にも適した材料である。本研究では、希薄磁性半導体ＧａＧｄＮに対してｐ型ドーパントであるＢｅとｎ型ドーパントであるＳｉをドープした際の成長条件と電気特性について調べた。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 30 (0), 120-120, 2010
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205677438720
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- NII論文ID
- 130005037898
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可