The effect of Si-doped interfacial layer on the electrical properties
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- Ishii Tatsuya
- Dept.of EEIE, Kanagawa University
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- Homma Hideyuki
- Dept.of EEIE, Kanagawa University
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- Yamaguchi Shigeo
- Dept.of EEIE, Kanagawa University
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- Yasuhara Shigeo
- Japan Advanced Chemicals Ltd.
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- Shimoyama Norio
- Japan Advanced Chemicals Ltd.
Bibliographic Information
- Other Title
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- 有機金属気相成長法を用いたInSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響
Abstract
InSbは、III-V族化合物半導体の中で最も高い電子移動度（室温で78000[cm2/Vs]）を有しており、赤外線センサ、ホール素子等へ応用されており、さらに、熱電変換素子への応用が期待できる。今回は、GaAs(100)面基板を使いInSb薄膜を結晶成長させた。その際、InSbと基板の界面に Siをドープした試料の電気的特性の温度依存性を評価した。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 30 (0), 123-123, 2010
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205677442432
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- NII Article ID
- 130005037901
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed