Inpact of buffer layer on the electrical properties of MOPVE-grown InSb thin films
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- Homma Hideyuki
- Dept. of EEIE, Kanagawa University
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- Ishii tatsuya
- Dept. of EEIE, Kanagawa University
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- Yamaguchi shigeo
- Dept. of EEIE, Kanagawa University
Bibliographic Information
- Other Title
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- 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
Abstract
InSb は、現在赤外検出器やホールセンサとして用いられており、また今後高電子移動度トランジスタや、我々が提案してきた熱電変換素子としても期待できる材料である。今回の実験では、バッファ層の依存性を排除するため、GaAs基板上にInSbを直接成長させた。このInSb膜厚を変化させた時のInSb薄膜の電気的特性と結晶性を報告する。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 30 (0), 122-122, 2010
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205677445888
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- NII Article ID
- 130005037900
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed