STM/STSによるペンタセン薄膜バンド構造の空間揺らぎマッピング

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タイトル別名
  • The mapping of fluctuation in band structure of pentacene/Au(111) investigated by scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy

抄録

有機半導体のデバイス特性や性能は、有機半導体層の欠陥や不純物など結晶性の不均一性によるバンド構造の空間的な揺らぎに大きく影響を受けていると考えられている。そこで、走査トンネル顕微鏡/分光法（STM/STS）を用い、代表的な有機FET材料であるペンタセンの薄膜中のエネルギーギャップの変化をマッピングすることで、局所的なバンド構造の空間揺らぎを評価した。本発表では実験の原理も含め、詳細を紹介する。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205677595392
  • NII論文ID
    130004674303
  • DOI
    10.14886/sssj2008.29.0.94.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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