水素化アモルファスシリコンの高温での成長速度増加に関する考察

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モノシランガスの放電プラズマにより水素化アモルファスシリコン薄膜を成長させた場合、その成長速度は低温側では温度によらずほぼ一定であるが、４００℃あたりから温度とともに増加する。この増分の温度依存性を解析したところ、活性化エネルギーとして1.6eVと0.9eVの二つの場合があることが明らかになった。これらの起源を成長機構との関連において検討した結果について報告する。

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  • CRID
    1390001205677716992
  • NII Article ID
    130005481112
  • DOI
    10.14886/sssj2008.34.0_24
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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