In/Si(111)√7×√3-hex表面の作製と電子状態

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Si(111)清浄表面にInを蒸着し加熱することで得られる√7×√3超構造について、被覆率を1.2 MLとするhex構造と、2.4 MLとするrect構造の2種類が提案されている。このうちrect構造については盛んに研究が行われているが、hex構造に関する実験的な報告は少ない。そこで我々は√7×√3-hex構造を持つ試料の作製法を検討し、低速電子回折および光電子分光を用いて評価した。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205677798784
  • NII Article ID
    130005481165
  • DOI
    10.14886/sssj2008.34.0_17
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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