In/Si(111)√7×√3-hex表面の作製と電子状態
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- Iida Ryu
- 京都大学大学院理学研究科
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- Hatta Shinichiro
- 京都大学大学院理学研究科
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- Okuyama Hiroshi
- 京都大学大学院理学研究科
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- Aruga Tetsuya
- 京都大学大学院理学研究科
Abstract
Si(111)清浄表面にInを蒸着し加熱することで得られる√7×√3超構造について、被覆率を1.2 MLとするhex構造と、2.4 MLとするrect構造の2種類が提案されている。このうちrect構造については盛んに研究が行われているが、hex構造に関する実験的な報告は少ない。そこで我々は√7×√3-hex構造を持つ試料の作製法を検討し、低速電子回折および光電子分光を用いて評価した。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 34 (0), 17-, 2014
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205677798784
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- NII Article ID
- 130005481165
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed