ダイヤモンドMOSFET界面研究の最近の進展

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タイトル別名
  • Recent Progress of Research on Diamond MOS Interfaces

抄録

ダイヤモンドは5.47eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体で、将来のパワー半導体に期待されている。パワー素子に不可欠なMOS（金属・酸化物・半導体）構造は、ダイヤモンドでも、ようやく安定動作するようになり、その電気的特性から、界面物理が明らかにされつつある。本講演では 最近明らかになった結果を解説する。

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  • CRID
    1390001205677810048
  • NII論文ID
    130005489147
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_11
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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