Analysis of multiple ion scattering in beta-FeSi2 films with equivalent domains epitaxially grown on Si(111)

DOI
  • Fuchi Masaya
    Department of Computer Scienece and Electronics, Kyushu Institute of Technology
  • Arima Mikihiro
    Department of Computer Scienece and Electronics, Kyushu Institute of Technology
  • Terai Yoshikazu
    Department of Computer Scienece and Electronics, Kyushu Institute of Technology
  • Narumi Kazumasa
    QST
  • Maeda Yoshihito
    Department of Computer Scienece and Electronics, Kyushu Institute of Technology QST

Bibliographic Information

Other Title
  • Si(111)上にエピタキシャル成長した等価ドメインをもつβ-FeSi2薄膜の多重イオン散乱解析

Description

Si(111)上にエピタキシャル成長した等価ドメインをもつβ-FeSi2薄膜の多重イオン散乱解析を行った。このエピタキシャル成長では６つの等価なドメイン成長が可能で、Si(111)面上のそれらの積層欠陥が軸方向の原子列のランダムな変位を起こし、非チャネリング因子になっていることを、多重イオン散乱によるチャネリングデータの解析から突き止めた。

Journal

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390001205678297728
  • NII Article ID
    130005175514
  • DOI
    10.14886/sssj2008.36.0_134
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

Report a problem

Back to top