輸送気相法ナフタセン結晶表面に形成される帯状構造と積層欠陥の関連性

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タイトル別名
  • Effect of stacking fault dislocation on the formation of line pattern formed on PVT-naphtacene crystal surface

説明

輸送気相法で得られたナフタセン結晶をX線トポグラフで検証したところ、転位消滅を満たすパターンが確認された。これは部分転位の存在によって出現したものと考えられ、結晶内部にストロー状空洞構造、表面には帯状構造を形成させる原因となっていることがわかった。講演では、この解析により判ったストロー状空洞や表面帯状構造を生じる理由、また、面すべりの生じやすさ等について説明する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205678452992
  • NII論文ID
    130005974725
  • DOI
    10.14886/sssj2008.37.0_214
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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