In/Si(111)-(4x1)表面の相転移と電気伝導
書誌事項
- タイトル別名
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- Phase transition and electrical conduction of In/Si(111)-(4x1)
抄録
In/Si(111)-(4×1)表面は120 K付近で金属-絶縁体転移する。この相転移は20 K程度の温度範囲で徐々に進行するが、これは相共存という擬一次転移の特性として理解される。従来の研究では電気伝導率の急低下は観測されていたが、低温相について広い範囲の測定はされていなかった。我々は65 Kまで伝導度を測定し、エネルギーギャップの解析などを行ったので、その結果を発表する。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 95-, 2015
公益社団法人 日本表面真空学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205678978944
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- NII論文ID
- 130005489511
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可