In/Si(111)-(4x1)表面の相転移と電気伝導

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タイトル別名
  • Phase transition and electrical conduction of In/Si(111)-(4x1)

抄録

In/Si(111)-(4×1)表面は120 K付近で金属-絶縁体転移する。この相転移は20 K程度の温度範囲で徐々に進行するが、これは相共存という擬一次転移の特性として理解される。従来の研究では電気伝導率の急低下は観測されていたが、低温相について広い範囲の測定はされていなかった。我々は65 Kまで伝導度を測定し、エネルギーギャップの解析などを行ったので、その結果を発表する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205678978944
  • NII論文ID
    130005489511
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_95
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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