Stress evolution during Si(111) surface reconstruction

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  • Si(111)表面再構成過程のストレス変位

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表面に存在するストレスは成長原子の拡散、吸着過程などのカイネティクスを変化させるため、表面ストレスの解明・制御がナノ構造創製のために有力な手段となる。Si(111) 7x7再構成構造に内在するストレスを実験的に捉えるため、Ge/Si(111)ヘテロ成長過程のストレス変化の観測に加え、水素終端表面と、清浄再構成表面とのストレス差から、再構成構造に起因するストレスを捉えた。

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  • CRID
    1390001205679098880
  • NII Article ID
    130005489473
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_425
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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