Si(100) 表面に埋め込まれたリン-シリコンヘテロダイマーの研究

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タイトル別名
  • A study of P-Si heterodimer incorporated in the Si(100) surface

抄録

Si(100)表面第一層に埋め込まれたP-Siヘテロダイマーについて行われた走査型トンネル顕微鏡(STM)観察と第一原理計算に基づくSTMシミュレーションの結果について報告する。Radnyらによる先行研究ではヘテロダイマーのPが真空側に突き出し、Siが表面側に沈み込んだバックリング構造が提案されているが、精密なSTM計測とDFT計算を行ったところ、これとはバックリング方向が逆であることが判明した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205679128576
  • NII論文ID
    130005489396
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_420
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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